| Modelo No. | | 156.75-5BB 4.52 | 156.75-5BB 4.55 | 156.75-5BB 4.57 | 156.75-5BB 4.59 | 156.75-5BB 4,62 | 156.75-5BB 4.64 | 156.75-5BB 4.67 |
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| Las caracteríSticas del producto | |
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| La tecnologíA celular | Policristalina |
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| Dimensiones | 156.75 x 156.75 mm |
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| El espesor de la celda | De 200 ±15 µM |
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| La superficie frontal (-) | |
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| NºDe barras colectoras | 5 |
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| Ancho de la barra colectora | 0,7 mm |
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| Material Busbar | La plata |
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| El recubrimiento anti reflejo | Nitruro de Silicio |
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| La superficie trasera (+) | |
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| NºDe electrodos de soldadura | 5 |
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| El ancho de la almohadilla de soldadura | 2 mm |
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| Material de la almohadilla de soldadura | La plata |
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| La superficie trasera (BSF) | El aluminio |
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| Datos eléCtricos en el STC. | |
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| Potencia máXima (Pmax) | | 4.52 W | 4,55 W | 4,57 W | 4,59 W | 4,62 W | 4.64 W | 4,67 W |
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| La tensióN en el punto de máXima potencia (Vmpp) | | 0.5371 V | 0.5395 V | 0.5389 V | 0.5422 V | 0.5443 V | V 0.545 | 0.5458 V |
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| La corriente en el punto de máXima potencia (Impp) | | 8.417 un | 8.424 un | 8.48 Un | 8.473 un | 8.487 un | 8.52 Un | 8.552 un |
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| TensióN en circuito abierto (Voc) | | 0.6321 V | 0.6342 V | 0.6347 V | V 0.637 | 0.6387 V | 0.6399 V | 0.6407 V |
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| Corriente de cortocircuito (CAI) | | 8.911 un | 8.913 un | 8.975 un | 8.963 un | 8.977 un | 9.006 un | 9.032 un |
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| La eficiencia de céLulas | | 18.4-18.5 % | 18.5-18.6 % | 18.6-18.7 % | 18.7-18.8 % | 18.8-18.9 % | 18.9-19 % | 19-19,1 % |
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| Factor de relleno (FF) | | 80.26 % | El 80,4 % | 80.22 % | 80.46 % | 80.57 % | 80.57 % |
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